[发明专利]一种可优化功耗的纳米CMOS电路容错映射方法有效

专利信息
申请号: 202110514175.4 申请日: 2021-05-12
公开(公告)号: CN113343614B 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 夏银水;谢尚銮;查晓婧 申请(专利权)人: 宁波大学
主分类号: G06F30/327 分类号: G06F30/327;G06N3/12
代理公司: 宁波奥圣专利代理有限公司 33226 代理人: 谢潇
地址: 315211 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种可优化功耗的纳米CMOS电路容错映射方法,针对纳米CMOS电路的缺陷增加电路功耗的问题,本发明方法首先利用打包技术将常连等级较高的常连单元及其常连输出打包为单元包,并选择关联节点生成一定数量的节点包;然后利用遗传算法完成电路容错映射,通过特定的基因编码方式和交叉、变异操作保证单元包与节点包一对一匹配映射,以降低容错复杂度,并将功耗优化约束吸收到适值函数中对映射解的功耗进行优化。本发明方法可以有效降低电路容错复杂度,在快速消除缺陷对映射电路逻辑功能的影响的基础上,实现映射电路的功耗优化。
搜索关键词: 一种 优化 功耗 纳米 cmos 电路 容错 映射 方法
【主权项】:
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