[发明专利]一种高发射率高熵陶瓷材料及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202110515323.4 申请日: 2021-05-12
公开(公告)号: CN113233876B 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 刘玲;马壮;柳彦博;朱皓麟 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: C04B35/10 分类号: C04B35/10;C04B35/622
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 王术娜
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种高发射率高熵陶瓷材料及其制备方法和应用,属于高熵陶瓷材料技术领域。本发明在La的晶格位置同时引入五种不同掺杂比例的稀土元素,增加了LaMgAl11O19价带顶与导带底之间的杂质能级数量,减小了禁带宽度,有利于杂质能级中的电子吸收红外光的能量向导带跃迁,进而提升相应波段的光谱发射率;本发明在LaMgAl11O19陶瓷材料中引入可以变价的Pr、Ce或Eu元素,当其价态发生变化时能增加体系中自由电子浓度(例如Pr3+向Pr4+变价),从而促进自由载流子对红外光的吸收,也有利于光谱发射率的提高。本发明提供的陶瓷材料在3μm~5μm红外波段的光谱发射率>0.85,具有很好的应用前景。
搜索关键词: 一种 发射 率高熵 陶瓷材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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