[发明专利]具有栅漏复合阶梯场板结构的增强型HEMT射频器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110517159.0 | 申请日： | 2021-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN113178480B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 孙慧卿;夏凡;李渊;夏晓宇;谭秀洋;张淼;马建铖;黄志辉;王鹏霖;丁霄 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11919 | 代理人： | 仵乐娟 |
| 地址： | 510630 广东省广州市天*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有栅漏复合阶梯场板结构的增强型HEMT射频器件及其制备方法，其通过在势垒层表面设置一p型GaN区域，将栅极设置于该p型GaN区域上，进而在p型GaN区域朝向漏极的侧墙上布置栅极阶梯场板，在漏极朝向p型GaN区域的侧墙上布置漏极阶梯场板，阶梯场板包含至少两个子场板，子场板的宽度由上至下逐渐减小，其通过栅漏复合阶梯场板的设置，改变了栅极靠近漏极一侧以及漏极靠近栅极一侧的电场分布并且提高栅漏之间的平均电场强度，提升了器件的耐压性能和可靠性；栅极下方设置一p‑GaN区域，结合栅漏复合阶梯场板结构，使得的增强型HEMT射频器件具有更小的栅漏电容，表现出更高的截止频率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 复合 阶梯 板结 增强 hemt 射频 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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