[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202110517428.3 | 申请日： | 2021-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN113675227A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 辛基东;朴东久;金进勇 | 申请（专利权）人： | 安靠科技新加坡控股私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 何尤玉;郭仁建 |
| 地址： | 新加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置，包括：间隔件衬底，包括：间隔件电介质；间隔件顶部端子，在间隔件衬底的顶侧上；间隔件底部端子，在间隔件衬底的底侧上；及间隔件通孔，在间隔件电介质中且与间隔件顶部端子和间隔件底部端子耦合；第一透镜衬底，在第一间隔件衬底上方，第一透镜衬底包括：第一透镜电介质；第一透镜；第一透镜顶部端子，在第一透镜电介质的顶侧上；第一透镜底部端子，在第一透镜电介质的底侧上；及第一透镜通孔，在第一透镜电介质中且与第一透镜顶部端子和第一透镜底部端子耦合；透镜保护器，在第一透镜电介质上方邻近于第一透镜；及第一互连件，与间隔件顶部端子和第一透镜底部端子耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
