[发明专利]一种集成含能半导体桥的可自毁芯片器件封装结构和方法在审
| 申请号： | 202110518163.9 | 申请日： | 2021-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN113314470A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 郑学军;彭井泉;李方;左滨槐 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L25/18;H05K1/18;H05K3/34 |
| 代理公司： | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 | 代理人： | 何湘玲 |
| 地址： | 411100 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成含能半导体桥的可自毁芯片器件封装结构和方法，封装结构中控制芯片安装于含能半导体芯片与储存芯片之间，引线连接含能半导体芯片和PCB板；含能半导体芯片包括有半导体桥层、铝热剂含能层以及设置于半导体桥层和铝热剂含能层之间的聚酰亚胺薄膜；控制芯片包括用于检测周围环境的传感模块，还包括将传感模块检测的环境信息与预设的启动条件进行比对的比对模块，比对模块依据比对结果发送信号至PCB板，PCB板根据接收的信号控制半导体桥层放热使铝热剂含能层点火。本发明的封装结构具有简单实用、可靠性高、能够封装于常规芯片上且作用条件可以调节等优点，封装方法具有步骤简单和实施方便等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 半导体 自毁 芯片 器件 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
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