[发明专利]一种MEMS加速度传感器芯片批量测试方法及系统在审

专利信息
申请号: 202110518285.8 申请日: 2021-05-12
公开(公告)号: CN113253095A 公开(公告)日: 2021-08-13
发明(设计)人: 刘婧;冯方方;李宗伟;杨长春;周永健 申请(专利权)人: 中国科学院地质与地球物理研究所
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28;G01R27/26;G01P15/125;G01P21/00
代理公司: 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 代理人: 董延丽
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 本申请公开了一种MEMS加速度传感器芯片批量测试方法及系统,以解决测试MEMS加速度传感器芯片时耗费大量人力,测试工作量大的问题。系统包括:测试夹具,用于放置多个待测MEMS加速度传感器芯片;通道切换装置,与待测MEMS加速度传感器芯片连接,基于第一时钟信号切换各通道的连通,自动切换多个芯片的测试,并基于第二时钟信号,将待测MEMS加速度传感器芯片的第一极板或者第三极板分别与电容测试装置连通;电容测试装置,对待测MEMS加速度传感器芯片的第一极板和第二极板之间、以及第二极板和第三极板之间的电容值进行测试;控制器,根据测得的电容值,确定芯片对应的电压与电容特性曲线,并控制通道切换装置进行相应的通道切换。
搜索关键词: 一种 mems 加速度 传感器 芯片 批量 测试 方法 系统
【主权项】:
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