[发明专利]一种降低薄膜太阳能电池死区面积的划线方法

摘要

本发明公开了一种降低薄膜太阳能电池死区面积的划线方法，属于薄膜太阳能电池组件领域，在底电极层上进行刻蚀后形成若干个P1线，形成电池PN结后在吸收层上刻蚀，形成P2，P1线的底部延伸至底电极层，P2位于P1线形成的本封闭区域内部，再沉积顶电极层，在顶电极层上表面制备栅线，栅线和P2连接，在制备栅线后的顶电极层表面进行刻蚀，形成P3线，P3线的底部延伸至底电极层的上表面，实现薄膜太阳能电池的分割和串联。通过特殊设计P1线和P2，使P2位于P1线形成的半封闭区域内部，从而能够大幅度降低P1至P3之间的死区面积，进而提高电池的功率。