[发明专利]一种VCSEL芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110519335.4 | 申请日： | 2021-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN113451883A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 彭鹏;姚林松;张健 | 申请（专利权）人： | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/34 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 黄宗波 |
| 地址： | 404000 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种VCSEL芯片及其制备方法，涉及激光芯片技术领域。本发明的一种VCSEL芯片，包括衬底和位于衬底一侧的外延结构，所述外延结构包括由下至上依次沉积的N‑DBR结构、MQW有源层、氧化层和P‑DBR结构，所述P‑DBR结构上沉积有第一氮化硅层，所述第一氮化硅层和P‑DBR结构被向下刻蚀形成台面，所述台面上设置有P‑contact圆环，所述衬底向上至第一氮化硅层上均沉积有第二氮化硅层，所述第二氮化硅层于P‑contact圆环对应的位置蒸镀有P‑ohmic。本发明公开了一种VCSEL芯片及其制备方法，通过减小P‑contact到MQW有源层的距离，能够有效减小芯片的内在电阻，提升了芯片的光学性能，提升效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vcsel 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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