[发明专利]双根纳米天线间隙腔定向增强MoS2的荧光发射方法有效
| 申请号： | 202110520477.2 | 申请日： | 2021-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN113265238B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 王培杰;尤卿章;李泽;张利胜;方炎 | 申请（专利权）人： | 首都师范大学 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/68;G02B5/00;B22F1/062;B22F9/24;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京八月瓜知识产权代理有限公司 11543 | 代理人： | 李斌 |
| 地址： | 100048 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双根纳米天线间隙腔定向增强MoS2的荧光发射方法，所述方法包括分别制备银纳米线和载有单层二硫化钼的硅片衬底；之后将银纳米线滴在载有单层二硫化钼的硅片衬底上；然后选取带有双根纳米天线的二硫化钼即可。本发明提供的方法一方面二硫化钼薄膜发出的光可以被纳米天线定向散射，避免了非定向发射造成的损耗；另一方面利用双根纳米线间隙可以将激发光高度局域，激发间隙等离子体，间隙等离子体衰减时，可以释放其它波长的光，匹配二硫化钼的荧光峰位置，通过珀塞尔效应极大增强二硫化钼的荧光。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 天线 间隙 定向 增强 mos2 荧光 发射 方法 | ||
【主权项】：
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