[发明专利]一种多沟道增强型氧化镓结型场效应晶体管有效
| 申请号： | 202110521158.3 | 申请日： | 2021-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN113257922B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;鲁娟;魏雨夕;魏杰;蒋卓林;杨可萌 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/24;H01L29/10 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种多沟道增强型氧化镓结型场效应晶体管(Ga |
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| 搜索关键词： | 一种 沟道 增强 氧化 镓结型 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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