[发明专利]具有同材质高反射p、n欧姆接触的倒装LED芯片及制法有效
| 申请号： | 202110521392.6 | 申请日： | 2021-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN113224216B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 周玉刚;郭焱;金楠;梁志斌;潘赛;许朝军;张荣 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有同材质高反射p、n欧姆接触的倒装LED芯片及制法。所述倒装LED芯片，其特征在于包括：外延结构层和p电极、n电极，所述外延结构层包括依次叠层设置的n型层、量子阱层和p型层，所述p电极设置在p型层上，所述n电极设置在所述n型层上；所述p电极和n电极均包括高反射欧姆接触结构，所述高反射欧姆接触结构包括叠设的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在所述p型层和n型层上，并与所述p型层和n型层形成欧姆接触，其中，所述第一金属层包含金属Ag和金属Mg。本发明实施例提供的倒装LED芯片具有出光效率高、散热性好、稳定性高等优点，且制备工艺简单，成本低廉，更适于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 材质 反射 欧姆 接触 倒装 led 芯片 制法 | ||
【主权项】：
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