[发明专利]一种TOPCon电池及其制作方法在审
申请号: | 202110522260.5 | 申请日: | 2021-05-13 |
公开(公告)号: | CN113257956A | 公开(公告)日: | 2021-08-13 |
发明(设计)人: | 马玉超;陈彭;杨金芳;单伟;何胜;徐伟智 | 申请(专利权)人: | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王晓坤 |
地址: | 310051 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本申请公开了一种TOPCon电池及其制作方法,该方法包括获得TOPCon电池的半成品;半成品包括硅片,位于硅片背面的隧穿氧化层、掺杂多晶硅层、背面钝化层,位于硅片正面的发射极层、正面钝化层;在半成品的正面对应正面细栅线的位置开槽,形成槽孔;在半成品的背面制备背面主栅线和背面细栅线;利用电镀方式在槽孔中制备铝细栅线;在半成品的正面制备正面主栅线,并对半成品进行烧结,得到TOPCon电池。本申请的方法利用电镀方式在正面形成铝细栅线,降低制作成本,且可以精准控制铝细栅线的宽度及高宽比,提升铝细栅线的塑性。 | ||
搜索关键词: | 一种 topcon 电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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