[发明专利]一种紫外LED外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110523507.5 | 申请日： | 2021-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN113140657B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 王晓波 | 申请（专利权）人： | 西安瑞芯光通信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/08;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 崔自京 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市高*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种紫外LED外延结构，包括衬底、及从下至上依次位于衬底上的低温AlN层、高温AlN层、本征AlGaN层、掺杂硅烷的n型AlGaN层、掺杂硅烷的n掺杂AlGaN/AlN超晶格层、量子阱区‑1、超晶格SL区‑1、量子阱区‑2、超晶格SL区‑2、量子阱区‑3、超晶格SL区‑3、量子阱区‑n、超晶格SL区‑n、p型AlGaN层和掺杂镁的p++型BAlGaN层，通过本发明的设计和生长方法，能够满足现实应用中对于各种紫外波段需求的集成统一，很大程度简化了后续封装步骤，并且提高了芯片的整体可靠性，实现了一芯多用的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安瑞芯光通信息科技有限公司，未经西安瑞芯光通信息科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110523507.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
