[发明专利]一种改善CVD表面缺陷的方法在审
| 申请号： | 202110523983.7 | 申请日： | 2021-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN113270312A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 谈林乖;曹威;王博;时功权;洪杜桥;王贵;杨晓东;何静;陈侃 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C11D7/08;C11D7/06;C11D7/60;C11D3/39 |
| 代理公司： | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人： | 谷庆红 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善CVD表面缺陷的方法，包括以下步骤：把陪片与硅片进行清洗后，将两者的背面贴上白膜并放入CVD反应炉中进行化学气相沉淀过程，此过程分为两个阶段，第一阶段是使硅烷和一氧化二氮充满整个工艺腔，开始沉积为硅片做衬底；第二阶段是通入硅烷进行沉积，完成化学气相沉淀过程将两者取出，最后去除两者背面的白膜。所述白膜为耐高温的高分子塑料白膜，其光滑的高分子化合物使得硅片表面粗糙度进一步降低，并且白膜的粘性不会对硅片背面的氧化层造成影响，从而在化学气相沉淀过程中有效的抵挡住各种杂质，显著的减少CVD多晶硅中的雾状区域和颗粒数量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 cvd 表面 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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