[发明专利]一种基于高频磁耦合模块的中压变流器拓扑结构在审

专利信息
申请号: 202110524475.0 申请日: 2021-05-13
公开(公告)号: CN113346764A 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 杜思行;何思承;刘进军;张岩 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H02M5/458 分类号: H02M5/458
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 马贵香
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开一种基于高频磁耦合模块的中压变流器拓扑结构,包括一个或多个磁耦合模块;所述磁耦合模块的核心电路包括一个单相/多相多绕组高频变压器、与各绕组串联的LC谐振支路和对各绕组供电的单相/多相方波电压源;各绕组上方波变流器的直流输入端外加直流或交流接口电路,使其形成能够封装的多端口磁耦合子模块;所述多个磁耦合模块是多个同种或不同种磁耦合模块通过端口串联或并联连接形成。本发明大幅度减小变压器和电容器等核心无源元件的体积和重量,同时有效地整合不同形式的功率,一体化解决功率密度、容量和交直流多端口混合方面的技术难题。
搜索关键词: 一种 基于 高频 耦合 模块 变流器 拓扑 结构
【主权项】:
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