[发明专利]二维半导体光伏型偏振探测器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种ZrGeTe4光伏型偏振探测器及其制备方法，ZrGeTe4光伏型偏振探测器包括：衬底(10)；二维ZrGeTe4半导体(11)，其形成于所述衬底(10)上，其中，所述二维ZrGeTe4半导体(11)具备面内各向异性；金属电极(12)，形成于所述二维ZrGeTe4半导体(11)上。该ZrGeTe4光伏型偏振探测器解决二维半导体偏振探测器使用时暗电流过大的技术问题，实现了在不牺牲二向色性比的条件下实现不加偏压的偏振探测器件，对于资源节约，提高集成度，实现器件柔性化、小型化具有重要意义。