[发明专利]一种高强度低介电损耗氧化铝陶瓷基片有效
| 申请号： | 202110525141.5 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113149619B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 赵学国;王艳香;郭平春;江和栋;黄丽群;李家科;范学运 | 申请（专利权）人： | 景德镇陶瓷大学 |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B35/622;C04B35/638;C04B35/64 |
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| 地址： | 333000 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明公开一种高强度低介电损耗氧化铝陶瓷基片，所述氧化铝陶瓷基片按重量百分比由99.6～99.8wt%氧化铝和0.2～0.4wt%烧结助剂组成，采用超高压均质技术分散纳米氧化铝粉，然后通过球磨工艺将微量烧结助剂引入剂（0.2~0.4wt%）披覆在氧化铝颗粒表面，运用轧膜工艺制备氧化铝陶瓷生坯片，陶瓷生坯片经等静压处理并排胶后在950～1050℃条件下采用电场辅助低温快速烧技术，显著降低基片烧结温度和烧结时间，从而控制陶瓷晶粒尺寸(0.4～0.6μm)并抑制其高频下的介电损耗(10 |
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| 搜索关键词： | 一种 强度 低介电 损耗 氧化铝陶瓷 | ||
【主权项】：
暂无信息
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