[发明专利]通过蚀刻实现浅背钻的工艺方法在审
| 申请号： | 202110526473.5 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113271716A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 付林;谭才文;曾宪悉 | 申请（专利权）人： | 惠州中京电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/00 | 分类号： | H05K3/00 |
| 代理公司： | 惠州市超越知识产权代理事务所(普通合伙) 44349 | 代理人： | 陈文福 |
| 地址： | 516000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请是关于一种通过蚀刻实现浅背钻的工艺方法。该方法包括：获取待蚀刻孔的位置信息，蚀刻孔是需要进行浅背钻的PTH孔；对蚀刻孔进行真空树脂塞孔，得到第一待处理PCB；对第一待处理PCB进行背钻孔孔形图形转移，得到背钻孔孔形开窗；通过蚀刻药水对背钻孔孔形开窗进行控深蚀刻，实现浅背钻。本申请提供的方案，能够保证PCB板不会因浅背钻导致开路或短路以及背钻深度不符。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 蚀刻 实现 浅背钻 工艺 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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