[发明专利]一种CMOS超宽带低噪声放大器在审

专利信息
申请号: 202110526514.0 申请日: 2021-05-14
公开(公告)号: CN113131876A 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 岳宏卫;杨华光 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26
代理公司: 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 代理人: 陈跃琳
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种CMOS超宽带低噪声放大器,包括输入级互补共源电路、中间级共源负反馈电路和输出级共源buffer电路。本发明创新性地在互补共源级基础上引入电阻反馈,电感峰化技术、源极退化电感技术和伪电阻结构,同时结合共源负反馈电路,共源buffer电路和电流复用技术,使得整体电路具有宽带宽的同时、达到良好的增益、噪声系数和功耗等指标。本发明能够工作在0.15~11GHz频带内,覆盖了5G中低频段范围(450MHz~6GHz)以及IMT业务在6GHz候选频段(5925~7125MHz)范围,同时也兼容UWB标准频段(3.1~10.6GHz)。
搜索关键词: 一种 cmos 宽带 低噪声放大器
【主权项】:
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