[发明专利]晶圆湿法刻蚀设备在审
| 申请号： | 202110526795.X | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113394135A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 王春伟;张弢 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭立 |
| 地址： | 201315 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆湿法刻蚀设备，包括：储存容器，与所述储存容器相连的分别有主管路，泄压管路，辅助管路，回收管路；所述主管路上连接有泵，加热器，流量计；所述泄压管路上连接有压力传感器，压力调节器；所述储存容器用以储存刻蚀剂；所述泵用以将所述储存容器中的刻蚀剂泵入主管路；所述加热器用以加热刻蚀剂至预设温度；还包括，多个刻蚀腔室，用以对晶圆进行刻蚀；每个所述刻蚀腔室分别通过各自的分管路与所述主管路连接；还包括控制装置，用以控制每个所述刻蚀腔室的刻蚀流程。 | ||
| 搜索关键词： | 湿法 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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