[发明专利]一种原位力热电多场耦合测试芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110526895.2 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113237733B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 聂萌;黄语恒;尹奎波;陈姝宁 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01N3/02 | 分类号： | G01N3/02;G01N3/18;G01N27/04;G01N23/2251;G01N23/04;G01N23/20 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 任志艳 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种原位力热电多场耦合测试芯片及其制备方法，包括第一静电执行器、第二静电执行器、与第一静电执行器连接的第一加热梁、与第二静电执行器连接的第二加热梁；第一静电执行器上设置有第一样品台，第二静电执行器上设置有第二样品台；第一加热梁与中心轴线垂直，且与第一样品台连接，用于给第一样品台加热；本发明芯片集成了力、热、电三种物理场耦合加载功能，实现如下功能：待测样品电学参数、力学参数与温度场间的准静态单参数或多参数耦合测试；待测样品平面拉伸下的蠕变、疲劳特性分析与温度场间的耦合测试；待测样品在不同温度场下的疲劳特性与电学参数、力学参数之间的耦合关系规律分析，待测样品的可靠性失效分析等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原位 热电 耦合 测试 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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