[发明专利]一种用于芯片的镀膜加工方法在审
| 申请号： | 202110527923.2 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113363135A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 胡超;遆好伟 | 申请（专利权）人： | 深圳市嘉也科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/24;C23C16/02;C23C16/511;C30B29/06;C30B25/02 |
| 代理公司： | 广东有知猫知识产权代理有限公司 44681 | 代理人： | 彭琼 |
| 地址： | 518035 广东省深圳市龙岗区平湖街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于芯片的镀膜加工方法，包括以下步骤：S1，对半成品芯片进行清洁脱脂处理；S2，对脱脂处理后的半成品芯片置于PECVD生长系统中抽真空，并在半成品芯片的表面形成硅原子沉积层，S3，对表面镀有硅原子沉积层的半成品芯片加工成成品芯片后，对成品芯片同样进行S1步骤中的脱脂处理；S4，对脱脂处理后的成品芯片置于ECR‑PECVD生长系统中，在成品芯片的表面沉积制备晶硅薄膜；本发明通过对芯片进行两次镀膜处理，可以增加封装壳体对集成电路板封装的密封性，防止芯片长时间使用后发生氧化，而且对于一些置于外部环境中，且会与人体接触的芯片经过镀膜处理后还可增加芯片的抗菌性，在保证芯片使用寿命的同时，还可以增加芯片使用的安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 芯片 镀膜 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
