[发明专利]一种基于65nm CMOS工艺的二次谐波压控振荡器有效
| 申请号： | 202110528799.1 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113381697B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 易翔 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学;人工智能与数字经济广东省实验室（广州） |
| 主分类号： | H03B5/12 | 分类号： | H03B5/12;H03B5/24 |
| 代理公司： | 广州海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295 | 代理人： | 黄为;冼俊鹏 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于65nm CMOS工艺的二次谐波压控振荡器，涉及电子通讯技术。针对现有技术中小面积、高功率、高效率无法实现的问题提出本方案，利用65nm CMOS生产方法在基片上制作出二次谐波压控振荡电路结构，主要包括输出电容、第一电阻以及对称设置的第一三电感串接单元和第二三电感串接单元。工作频率为302.7GHz～317.2GHz。优点在于，采用了单振荡器结构实现高输出功率、高效率、小面积。由于有源晶体管的寄生电容会显著降低THz频段的振荡器性能，因此采用了高阶无源LC谐振电路来使这些寄生电容产生谐振，从而提高了振荡频率和效率。从优化路径中提取输出二次谐波，以产生高输出功率，面积仅0.01mm |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 65 nm cmos 工艺 二次 谐波 压控振荡器 | ||
【主权项】：
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