[发明专利]一种中空二氧化硅粉体填料的制备方法、由此得到的粉体填料及其应用在审
| 申请号： | 202110530203.1 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113248943A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 李文;田堃;于浩;方袁烽 | 申请（专利权）人： | 浙江三时纪新材科技有限公司 |
| 主分类号： | C09C1/30 | 分类号： | C09C1/30;C09C3/04;C08K9/06;C08K7/26 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 宋丽荣 |
| 地址： | 313000 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种中空二氧化硅粉体填料的制备方法，其包括提供纯度≥99.5％且软化温度≥1600度的无定形二氧化硅粉体；将无定形二氧化硅粉体造粒得造粒粉体，无定形二氧化硅粉体的平均粒径≤造粒粉体的平均粒径/7；将造粒粉体在2000度以上的温度下进行火焰熔融球化，首先仅表面形成封闭熔融层，然后内部二氧化硅的熔融使得封闭熔融层增厚得平均粒径0.5～100微米且比重0.6～1.8的中空二氧化硅粉体填料。本发明还提供由上述制备方法得到的中空二氧化硅粉体填料。本发明又提供上述中空二氧化硅粉体填料的应用。根据本发明的中空二氧化硅粉体填料，通过在二氧化硅内部导入气孔以降低介电损失和介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中空 二氧化硅 填料 制备 方法 由此 得到 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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