[发明专利]基于GaN的MIS-HEMT器件的制备方法和比较器电路在审
| 申请号： | 202110532549.5 | 申请日： | 2021-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN113223950A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 李昂;刘雯;赵策洲 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/335;H01L21/67;H03K5/24 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 叶栋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及一种基于GaN的MIS‑HEMT器件的制备方法和比较器电路，属于微电子技术领域，该方法包括：对基于GaN的耗尽型MIS‑HEMT器件的栅槽进行刻蚀；对刻蚀后的栅槽进行清洗；确定清洗后的栅槽的深度是否与期望阈值电压匹配；在清洗后的栅槽的深度与期望阈值电压不匹配的情况下，再次对基于GaN的耗尽型MIS‑HEMT器件的栅槽进行刻蚀，直至清洗后的栅槽的深度与期望阈值电压匹配时停止；可以解决基于GaN的耗尽型MIS‑HEMT器件的阈值电压过负问题；可以通过多次刻蚀增大阈值电压，使得耗尽型器件和增强型器件的阈值匹配，同时不影响器件稳定性；同时提高刻蚀精度，刻蚀过程的可控性高，材料损伤较小。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 gan mis hemt 器件 制备 方法 比较 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
