[发明专利]一种逐层减薄少层二维过渡金属硫化物的方法在审
| 申请号： | 202110534996.4 | 申请日： | 2021-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN113471079A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 赵海燕;裴家云 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/428 | 分类号： | H01L21/428;B23K26/06;B23K26/064;B23K26/36;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 王萌 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种逐层减薄少层二维过渡金属硫化物(TMDCs)的方法，包括以下步骤：将TMDCs材料转移到目标基底上；对TMDCs材料的层数进行测定；选定少层TMDCs材料的区域，对选定区域的少层TMDCs材料进行激光扫描辐照，采用逐层减薄的方式实现对少层TMDCs材料的层数和厚度的精确控制，选定区域的少层TMDCs材料的层数在4层以内。本发明通过激光辐照逐层减薄的方式实现了对少层TMDCs材料层数厚度的精确控制，且能够获得高质量的产品；另外，本发明可以任意选取加工区域，即在样品表面任意位置进行加工减薄，且对别的区域影响很小，相较而言，本方法更快速，更具柔性和可控性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逐层减薄少层 二维 过渡 金属 硫化物 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
