[发明专利]一种光电突触器件及其应用有效
申请号: | 202110537677.9 | 申请日: | 2021-05-17 |
公开(公告)号: | CN113675223B | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | 朱锐;梁会力;王燕;刘尧平;梅增霞 | 申请(专利权)人: | 松山湖材料实验室 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L31/032;G06N3/04 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 唐菲 |
地址: | 523808 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请提供一种光电突触器件及其应用,属于人工突触技术领域。光电突触器件包括多个电性连接的光电突触元器件。每个光电突触元器件包括层叠设置的基片、非晶氧化镓层以及收集电极,非晶氧化镓层与收集电极相邻设置,非晶氧化镓层中氧空位浓度的控制可通过在0~0.2sccm的氧流量条件下磁控溅射沉积得以实现。光电突触器件具备较稳定的突触性能和较低的突触触发能耗;光电突触器件用作模拟生物突触行为的器件在人工神经网络硬件中的应用,能以较低能耗执行突触事件;光电突触器件用作图像处理的器件在图像传感设备中的应用,能有效实现抑噪。 | ||
搜索关键词: | 一种 光电 突触 器件 及其 应用 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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