[发明专利]一种全环绕沟道场效应晶体管、制备方法及应用有效
| 申请号： | 202110538267.6 | 申请日： | 2021-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN113241376B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 余林蔚;宋晓攀;刘宗光;王军转 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/10;H01L29/22;H01L29/24;H01L29/78;H01L21/34;H01L21/44;G01N27/414;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙) 32326 | 代理人： | 李培 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种全环绕沟道场效应晶体管，包括衬底，所述衬底表面设置有悬空高导电性微米或纳米线状材料作为栅，所述栅的外层依次设有介质层和气体敏感层；所述栅的一端和外层气体敏感层两端分别沉积金属电极用于连接外部测试电路。本发明适用范围广，可定位可集成的CAA背栅场效应晶体管并用于气体传感器领域，改善气体传感器的气敏性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 环绕 沟道 场效应 晶体管 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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