[发明专利]一种PERC电池背钝化结构、PERC电池及制备方法在审
| 申请号： | 202110538791.3 | 申请日： | 2021-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN113257927A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 方超炎;何悦;郭帅;任海亮;任勇;陈德爽;徐君;金志洪 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 322118 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明提供了一种PERC电池背钝化结构、PERC电池及制备方法，所述的PERC电池背钝化结构包括设置于硅基体背面的晶态氧化硅层。本发明采用晶态氧化硅替换传统的非晶态氧化硅，晶态氧化硅中的原子分布具有长程有序性，因此，相比于非晶态氧化硅层，晶态氧化硅层的致密程度更高，钝化效果更好，界面态缺陷密度可以低至10 |
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| 搜索关键词： | 一种 perc 电池 钝化 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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