[发明专利]一种纳米二氧化硅/羟基硅烷偶联剂复合改性聚氨酯超疏水膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 202110539500.2 申请日: 2021-05-18
公开(公告)号: CN113248755A 公开(公告)日: 2021-08-13
发明(设计)人: 任秀艳;朱琳;高光辉;张恩波;姚传莹 申请(专利权)人: 长春工业大学
主分类号: C08J5/18 分类号: C08J5/18;C08L75/08;C08K9/06;C08K3/36;C08G18/10;C08G18/66;C08G18/48;C08G18/34
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 130000 吉*** 国省代码: 吉林;22
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种纳米二氧化硅/羟基硅烷偶联剂复合改性聚氨酯超疏水膜的制备方法,其主要原料配方如下:多元醇,异氰酸酯、催化剂、亲水性扩链剂、中和剂、小分子扩链剂,硅烷偶联剂,纳米二氧化硅,去离子水,后扩链剂。本发明通过引入带有羟基硅烷偶联剂改性后的纳米二氧化硅粒子,对合成的聚氨酯体系进行改性。羟基硅烷偶联剂的羟基基团可以与水性聚氨酯体系的异氰酸根基团发生化学反应,引入硅烷可从化学方面对聚氨酯膜疏水性进行改性;经过羟基硅烷偶联剂处理的纳米二氧化硅粒子在成膜后形成的的微纳米结构从物理方面对聚氨酯膜疏水性进行改性。所制备的聚氨酯超疏水膜其水接触角可达到145°至155°,滚动角为5°至7°,拓宽了聚氨酯膜的应用领域。
搜索关键词: 一种 纳米 二氧化硅 羟基 硅烷偶联剂 复合 改性 聚氨酯 疏水 制备 方法
【主权项】:
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