[发明专利]一种多层绝缘体上硅锗衬底结构及其制备方法和用途

摘要

本发明涉及一种多层绝缘体上硅锗衬底结构，其包括由下至上依次堆叠的背衬硅层、第一绝缘层、第一硅锗层以及交替垂直堆叠在所述第一硅锗层上的n层第二绝缘层和n层第二硅锗层，并且靠近所述第一硅锗层的是所述第二绝缘层；所述第一硅锗层的硅锗材料的化学式为Si1‑yGey；所述第二硅锗层的硅锗材料的化学式为Si1‑zGez，0＜z≤0.5；其中，n为1以上的正整数；所述第二绝缘层存在贯穿所述第二绝缘层的凹槽；并且所述凹槽中充满与所述第二硅锗层的硅锗材料相同的硅锗材料。本发明还涉及一种多层绝缘体上硅锗衬底结构的制备方法。该衬底结构有利于减小器件的短沟道效应，同时有利于提升器件的开态电流，在小尺寸半导体器件的制备中有望得到应用。