[发明专利]一种提高Mo-Co-S超级电容器容量的方法

摘要

本发明公开了一种提高Mo‑Co‑S超级电容器容量的方法。采用CVD法对低晶态Mo‑Co‑S进行P掺杂处理，得到Mo‑Co‑S/P；对Mo‑Co‑S/P进行过电压恒流充电处理，此时样品表面由完整的沟壑形貌分裂成具有许多明显间隙的块状结构，并且这种块状物质上产成了大量堆积的直径约为50~100nm的纳米球状颗粒和厚度约为100nm的纳米片，为电化学反应提供了更多的活性位点。在1M KOH电解液中对电极进行电化学性能评价，10 mA/cm2电流密度下，Mo‑Co‑S容量仅为0.72 F/cm2，P掺杂处理后提升为4.16 F/cm2，过电压恒流充电处理后最大容量可达9.64 F/cm2，是未经充电处理的Mo‑Co‑S/P电极容量的2.3倍，是Mo‑Co‑S电极的13.4倍；同时，直接对未P掺杂的Mo‑Co‑S进行相同条件的过电压恒流充电处理，其容量仅为1.43 F/cm2。