[发明专利]一种碳化硅晶体的生长工艺有效
| 申请号： | 202110544234.2 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113026106B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 皮孝东;徐所成;王亚哲;姚秋鹏;罗昊;钟红生;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00;C30B25/00 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 司晓蕾 |
| 地址： | 311200 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种新型的碳化硅晶体的生长工艺。通过这种方法生长碳化硅单晶，既解决了单独使用PVT方法所带来的源料无法持续供给及C/Si比失衡问题，也解决了PVT方法初期籽晶上面沉积成成核困难的问题。另外，通过调节出气管的挡板角度，既解决了单独使用HTCVD生长成本过大的问题，提高了源料的利用率，也解决了长时间的生长中排气口会发生封堵的问题。而且通过在炉体内部跟进气管道上端口平行处添加过滤网，保证了在整个生长过程中，防止了料粉中的固体颗粒进入到籽晶上面而形成固体粒子包裹。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体 生长 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学杭州国际科创中心，未经浙江大学杭州国际科创中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110544234.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
