[发明专利]一种MXene的高灵敏度压阻传感器及制备方法有效
申请号: | 202110545181.6 | 申请日: | 2021-05-19 |
公开(公告)号: | CN113237580B | 公开(公告)日: | 2023-01-10 |
发明(设计)人: | 刘伟杰;郭海中;杨眉 | 申请(专利权)人: | 郑州大学 |
主分类号: | G01L1/18 | 分类号: | G01L1/18 |
代理公司: | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人: | 王红培 |
地址: | 450001 河南*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明提供了一种MXene的高灵敏度压阻传感器及制备方法,包括导电材料、柔性叉指电极和柔性敏感层,所述柔性叉指电极是利用叉指电极掩模版放置在任一柔性材料上并通过喷涂工艺制备了MXene的柔性叉指电极,所述柔性敏感层是利用砂纸为模板得到具有表面微结构的柔性敏感层,并在所述柔性敏感层的微结构表面通过喷涂工艺制备出MXene@PU敏感层;将上述部分组装在一起后得到一种MXene的高灵敏度压阻传感器。本发明选用的导电材料均为MXene,有效的降低制备成本;本发明以砂纸为模板制备PU柔性敏感层,有效的得到了具有高回弹性的微结构柔性敏感层,使传感器具有更高的灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 一种 mxene 灵敏度 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】:
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