[发明专利]适用于碳化硅半导体器件的欧姆接触工艺及结构在审
| 申请号： | 202110546329.8 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113257903A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 黎力;袁述;苗青 | 申请（专利权）人： | 江苏中科汉韵半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/04 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州市徐州经*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种欧姆接触工艺及结构，尤其是一种适用于碳化硅半导体器件的欧姆接触工艺及结构。按照本发明提供的技术方案，所述适用于碳化硅半导体器件的欧姆接触工艺，包括N型碳化硅晶片，在所述N型碳化硅晶片所需的表面设置低功函数导电膜，所述低功函数导电膜的功函数低于所述N型碳化硅晶片的电子亲和能，以使得所述低功函数导电膜与N型碳化硅晶片接触后能直接形成所需的欧姆接触。本发明能有效实现欧姆接触，降低欧姆接触的工艺难度，提高半导体器件的性能以及适应范围。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 碳化硅 半导体器件 欧姆 接触 工艺 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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