[发明专利]适用于碳化硅半导体器件的掺杂方法在审
| 申请号： | 202110546334.9 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113257666A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 黎力;袁述;苗青 | 申请（专利权）人： | 江苏中科汉韵半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州市徐州经*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种适用于碳化硅半导体器件的掺杂方法。其在碳化硅晶片内制备有第二导电类型掺杂区以及第一导电类型掺杂区，其中，第二导电类型掺杂区包括采用离子注入形成的第二导电类型深掺杂区以及采用激光掺杂形成的第二导电类型表面掺杂区，第二导电类型深掺杂区在碳化硅晶片内的掺杂深度大于第二导电类型表面掺杂区在碳化硅晶片内的掺杂区深度以及第一导电类型掺杂区在碳化硅晶片内的掺杂深度，第二导电类型表面掺杂区位于第二导电类型深掺杂区的上方，且第二导电类型表面掺杂区与第二导电类型深掺杂区邻接。本发明能减少离子注入次数，避免表面浓度下降，有效实现掺杂后的箱型杂质分布，降低了工艺难度，提升了工艺精度。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 碳化硅 半导体器件 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
