[发明专利]双色探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及探测器技术领域，公开了一种双色探测器及其制备方法，该探测器包括：依次生长在GaAs衬底上的平滑层、成核层、GaSb或AlSb第一缓冲层、AlInSb第二缓冲层、InAsSb中长波通道层、InGaSb间隔层和InGaSb短中波通道层，所述InAsSb中长波通道层由下至上包括：第一N型下接触层、N型吸收层、B型AlInSb势垒层及N型上接触层，所述InGaSb短中波通道层由下至上包括：第二N型下接触层、I型吸收层和P型上接触层，第一N型下接触层之上设有下电极，所述P型上接触层之上设有上电极，所述上电极和下电极通过钝化层隔绝。本发明双色探测器在设计时能够通过微调材料组分以在较宽的光谱范围内实现探测谱段的灵活选择，使单一器件结构可覆盖宽光谱探测需求。同时实现大尺寸焦面制作。