[发明专利]一种碲锌镉衬底中无第二相夹杂的控制方法在审
| 申请号： | 202110546790.3 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113388889A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 范叶霞;徐强强;刘江高;侯晓敏;李振兴 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C30B33/02 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 焉明涛 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碲锌镉(CdZnTe)衬底中第二相夹杂的控制方法。包含一种原材料配比的设计和晶片退火处理方法，二者合一形成完整的技术方案。区别于传统的第二相夹杂改进方法，该方法利用原料精确配比设计，控制晶体中的第二相夹杂的种类、尺寸和密度，并利用晶片退火工艺对衬底进行后处理，可以实现衬底中无第二相夹杂，处理后的碲锌镉衬底质量得到极大地提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲锌镉 衬底 第二 夹杂 控制 方法 | ||
【主权项】：
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