[发明专利]基于平面基膜的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法有效
申请号: | 202110547221.0 | 申请日: | 2021-05-19 |
公开(公告)号: | CN113200534B | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
发明(设计)人: | 向旭;刘昱维;徐志康 | 申请(专利权)人: | 重庆交通大学 |
主分类号: | C01B32/184 | 分类号: | C01B32/184;C01B32/194 |
代理公司: | 重庆鼎慧峰合知识产权代理事务所(普通合伙) 50236 | 代理人: | 徐璞 |
地址: | 400074 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明提供一种基于平面基膜的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法,其特征在于,包括以下步骤:制备氧化石墨烯溶液、还原剂溶液并按比例均匀混合形成混合溶液;将开设有多个通孔的基膜放置于混合溶液表面;在基膜和混合溶液处于静置状态下对混合溶液进行加热,使石墨烯在基膜的下表面自组装形成石墨烯自组装层;干燥处理石墨烯自组装层得到石墨烯自组装薄膜。本发明在氧化石墨烯还原的化学反应过程中,将基膜设于气液界面处,通过小孔诱导自组装形成石墨烯薄膜,不受过滤和LB膜提拉的限制,不需要分两步完成,在一个步骤就能完成石墨烯薄膜的制备,生产效率高。 | ||
搜索关键词: | 基于 平面 氧化 石墨 还原 组装 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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