[发明专利]基于平面基膜的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法有效

专利信息
申请号: 202110547221.0 申请日: 2021-05-19
公开(公告)号: CN113200534B 公开(公告)日: 2022-09-02
发明(设计)人: 向旭;刘昱维;徐志康 申请(专利权)人: 重庆交通大学
主分类号: C01B32/184 分类号: C01B32/184;C01B32/194
代理公司: 重庆鼎慧峰合知识产权代理事务所(普通合伙) 50236 代理人: 徐璞
地址: 400074 *** 国省代码: 重庆;50
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种基于平面基膜的氧化石墨烯还原自组装薄膜制备方法,其特征在于,包括以下步骤:制备氧化石墨烯溶液、还原剂溶液并按比例均匀混合形成混合溶液;将开设有多个通孔的基膜放置于混合溶液表面;在基膜和混合溶液处于静置状态下对混合溶液进行加热,使石墨烯在基膜的下表面自组装形成石墨烯自组装层;干燥处理石墨烯自组装层得到石墨烯自组装薄膜。本发明在氧化石墨烯还原的化学反应过程中,将基膜设于气液界面处,通过小孔诱导自组装形成石墨烯薄膜,不受过滤和LB膜提拉的限制,不需要分两步完成,在一个步骤就能完成石墨烯薄膜的制备,生产效率高。
搜索关键词: 基于 平面 氧化 石墨 还原 组装 薄膜 制备 方法
【主权项】:
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