[发明专利]一种MEMS加速度计的多级抗过载封装结构及方法在审
| 申请号： | 202110547412.7 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113371670A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 刘国文;高乃坤;刘宇;刘福民;马智康;徐杰;王学锋 | 申请（专利权）人： | 北京航天控制仪器研究所 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 徐晓艳 |
| 地址： | 100854 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS加速度计的多级抗过载封装结构及方法，该加速度计包括封装管壳、封装盖板、被封装MEMS加速度计芯片、被封装ASIC芯片、外止档、侧面应力缓冲层、上表面应力缓冲层；所述被封装MEMS加速度计芯片固定在封装管壳基底上；被封装MEMS加速度计芯片粘贴在封装管壳上；外止档固化在封装管壳基底上，外止档罩在被封装MEMS加速度计芯片上方，使得被封装MEMS加速度计芯片位于外止档内部，且被封装MEMS加速度计芯片和外止档之间留有抗过载间隙，用于限制被封装MEMS加速度计芯片在高过载环境下的位移改变量；被封装ASIC芯片粘结在外止档上表面；被封装MEMS加速度计芯片的侧面和上表面涂覆有柔性聚合物作为应力缓冲层，在高过载情况下，利用应力缓冲层储存和耗散能量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 加速度计 多级 过载 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
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