[发明专利]分栅快闪存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 202110547515.3 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113257677A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 汤志林;车俐佳;王卉;付永琴;曹子贵 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/788 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种分栅快闪存储器的制造方法，包括提供一衬底；在所述衬底上形成浮栅层，所述浮栅层具有一开口，所述开口暴露出部分所述衬底；执行刻蚀工艺，以在所述开口内的所述衬底中形成凹槽；对所述凹槽进行圆角处理，形成圆角化的凹槽；在所述圆角化的凹槽内进行离子注入工艺，以在所述圆角化的凹槽内形成源区；在所述衬底上沉积源线材料层，所述源线材料层对准所述源区并填充所述圆角化的凹槽，以形成源线。在所述源线和源区接触的地方形成圆角化的凹槽，减小了沉积源线对所述源区造成的应力，也增大了所述源线和源区接触面积，从而解决由于所述源线与所述源区错位导致半导体器件漏电的问题，并且可以提升分栅快闪存储器的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 分栅快 闪存 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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