[发明专利]一种PIP电容及其制作方法在审
| 申请号： | 202110547519.1 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113270547A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 汤志林;王卉;付永琴;曹子贵 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种PIP电容的制作方法，包括：提供一衬底，所述衬底分为存储区、逻辑区和PIP电容区，在PIP电容区的所述衬底上形成有沟槽隔离结构；形成第一多晶硅层，所述第一多晶硅层覆盖所述衬底的存储区、逻辑区和PIP电容区的所述沟槽隔离结构；刻蚀所述逻辑区和PIP电容区的第一多晶硅层，在所述PIP电容区形成条状的下极板或者台阶状的下极板；形成绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖所述条状的下极板或者台阶状的下极板；形成第二多晶硅层，所述第二多晶硅层覆盖所述绝缘介质层，在所述PIP电容区形成上极板，所述下极板与所述绝缘介质层、所述上极板形成PIP电容。增大了上极板、下极板和绝缘介质层的电容面积，从而提高了PIP的电容容量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pip 电容 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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