[发明专利]具有纳米析出相的低热中子吸收截面中熵合金及制备方法有效
| 申请号： | 202110548060.7 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113308635B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 蒋虽合;曹培培;吕昭平;吴渊;刘雄军;王辉 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C22C30/00 | 分类号： | C22C30/00;C22C1/02;C22C19/05;C22F1/00;C22F1/10 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 朱艳华 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有纳米析出相的低热中子吸收截面中熵合金及制备方法，该中熵合金的各个组分的百分比计：Fe：20～35at％，Cr：20～35at％，Ni：30～50at％，Ti：2～7at％，Al：2～7at％。通过真空感应熔炼的方式得到铸锭，固溶后经过30％～80％变形量的冷轧和热处理工艺后得到含有弥散纳米析出相的中熵合金，具备较高的强度和良好的塑性。在400‑600℃受到高能离子辐照时，纳米析出相可通过“回溶‑再析出”过程保证其动态稳定性，在600℃下受到100DPA高剂量离子辐照后，没有空洞肿胀产生，且位错环等辐照缺陷尺寸比没有析出相的合金有明显降低，展现了优良的抗辐照性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 析出 低热 中子 吸收 截面 合金 制备 方法 | ||
【主权项】：
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