[发明专利]制造半导体器件的方法和图案形成方法在审
| 申请号： | 202110549003.0 | 申请日： | 2021-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN113376960A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 訾安仁;何俊智;郑雅如;张庆裕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 朱亦林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及制造半导体器件的方法和图案形成方法。在制造半导体器件的方法中，在要图案化的靶层之上形成金属光致抗蚀剂层，将金属光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射以形成潜在图案，以及通过将显影剂施加到经选择性曝光的光致抗蚀剂层来显影潜在图案以形成图案。金属光致抗蚀剂层是包括两种或更多种金属元素的合金层，并且选择性曝光改变了合金层的相态。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 图案 形成 | ||
【主权项】：
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