[发明专利]一种低损耗高频磁介材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202110549706.3 | 申请日： | 2021-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN113264759B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 武剑;李颉;孙亚辉;高峰;苏豪凯;张颖;刘颖力 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/32 | 分类号： | C04B35/32;C04B35/622;C04B35/64;H01Q1/38 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
一种低损耗高频磁介材料，属于电子材料领域。所述磁介材料为Ba |
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| 搜索关键词： | 一种 损耗 高频 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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