[发明专利]一种新型异质结光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种新型异质结光电探测器及其制备方法，由碳化硅、单层石墨烯、氧化镓和电极组成，所述单层石墨烯设置于所述碳化硅与所述氧化镓之间，所述电极为两个，两个所述电极均与所述单层石墨烯接触连接。与现有技术相比，本发明采用异质结型结构，具有高响应速度，高迁移率，高光暗电流比。本发明在该区域内设置了一层高迁移率的石墨烯，使得二维电子气层与石墨烯层重合，从而达到更高的电子迁移率。以此结构制备的光电探测器会拥有高迁移率，高响应速度，以及高光暗电流比，具有推广应用的价值。