[发明专利]一种利用低温去除极紫外光刻收集镜表面Sn污染的方法在审
| 申请号： | 202110550048.X | 申请日： | 2021-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN113219795A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 喻波;姚舜;邓文渊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 魏毅宏 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明提供了一种利用低温去除极紫外光刻收集镜表面Sn污染的方法，属于极紫外光刻污染去除技术领域，使被Sn污染的极紫外光刻收集镜所处的环境温度为‑33℃或以下，所处的环境为真空环境或惰性气体保护环境，此时Sn原子的温度低于13.2℃，发生如下化学反应： |
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| 搜索关键词： | 一种 利用 低温 去除 紫外 光刻 收集 表面 sn 污染 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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