[发明专利]半导体装置结构在审
| 申请号： | 202110551892.4 | 申请日： | 2021-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN113540031A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 邱士权;张家豪;庄正吉;王志豪;林佑明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体装置结构。半导体装置结构包含凸出于半导体基板之上的鳍有源区域；设置于鳍有源区域上的栅极堆叠物，其中栅极堆叠物包含栅极电介质层以及栅极电极；形成于鳍有源区域上且栅极堆叠物插入于其间的源极/漏极(S/D)部件；以及电性连接至栅极电极以及S/D部件中的其一的导电部件。导电部件包含：第一金属的底部金属部件；于底部金属部件上方的第二金属的顶部金属部件，其中第二金属的组成不同于第一金属；围绕顶部金属部件以及底部金属部件两者的阻挡层；以及围绕顶部金属部件且使顶部金属部件与底部金属部件以及阻挡层分开的衬层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 | ||
【主权项】：
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