[发明专利]一种具有高正向电流密度的沟槽肖特基二极管在审
| 申请号： | 202110553005.7 | 申请日： | 2021-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN113193053A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 孔谋夫;胡泽伟;陈宗棋;高佳成;王彬;郭嘉欣;黄柯 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，提供一种具有高正向电流密度的沟槽肖特基二极管，用以克服沟槽结构的肖特基二极管的正向电流密度降低的问题，具体涉及高正向电流密度的氧化镓沟槽肖特基二极管、碳化硅沟槽结势垒肖特基二极管及三维碳化硅沟槽结势垒肖特基二极管。本发明的沟槽肖特基二极管中，仅有位于沟槽底部的第二金属阳极4下设置氧化物绝缘层或P型掺杂区，使得沟槽的侧壁与N型漂移区的上表面的第一阳极金属3与N型漂移区1形成肖特基接触，增大了电流的导通面积，因此能够减小比导通电阻，从而增大了正向导通电流，有效改善器件的性能；与此同时，不影响器件的击穿电压和反向漏电流的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 正向 电流密度 沟槽 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110553005.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种赛车油箱
- 下一篇：一种电力机器人固态面阵激光雷达测距装置
- 同类专利
- 专利分类
