[发明专利]一种忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110553812.9 | 申请日： | 2021-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN113346016A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 李祎;黄晓弟;付瑶瑶;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 | 代理人： | 邓彦彦;张彩锦 |
| 地址： | 430074 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种忆阻器及其制备方法，由上至下包括：上电极、第一空位浓度阻变层、第二空位浓度阻变层以及下电极；第一空位浓度阻变层的空位浓度为固定浓度值或者浓度从高至低梯度变化；第二空位浓度阻变层的空位浓度为固定浓度值或者浓度从高至低梯度变化；第一空位浓度阻变层和第二空位浓度阻变层的阻变材料相同；第一空位浓度阻变层的固定浓度值或最低空位浓度值大于第二空位浓度阻变层的固定浓度值或最高空位浓度值。本发明通过梯度调制阻变材料，多层复合阻变材料由高空位浓度层到低空位浓度层，保证外部施加电场分布局域化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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